Kioxia BiCS8의 핵심 기술 특성
Kioxia BiCS FLASH 8세대는 2024년 7월부터 샘플 출하가 시작된 고성능 3D NAND 플래시 메모리 기술입니다. 기존 2D NAND의 평면 구조 대신 메모리 셀을 수직으로 218층 적층하여 셀 크기 축소 없이 밀도를 극대화합니다.
CBA 하이브리드 본딩 아키텍처
BiCS8의 핵심 혁신은 CMOS 회로와 메모리 셀 어레이를 별도 웨이퍼에서 최적화한 후 결합하는 CBA(CMOS Bonded to Array) 기술입니다. 이러한 구조 분리를 통해 셀 신뢰성과 I/O 속도 사이의 트레이드오프를 제거하고, 업계 최고의 3.6Gb/s NAND I/O 속도를 달성했습니다. 이전 세대 대비 NAND I/O 속도는 200% 향상되었습니다.
용량 및 전력 효율성
32개 다이 스택으로 단일 NAND 패키지 내에 8TB(테라바이트)의 용량을 달성한 업계 최초의 성과입니다. 비트 밀도는 23Gb/mm²로 이전 세대 대비 123% 향상되었고, 쓰기 성능은 200MB/s 이상으로 439% 개선되었습니다. 엔터프라이즈 SSD 적용 시 전력 효율은 최대 179% 향상됩니다.